[实用新型]带隙基准电压产生电路无效

专利信息
申请号: 200720172237.3 申请日: 2007-09-29
公开(公告)号: CN201097251Y 公开(公告)日: 2008-08-06
发明(设计)人: 付璟军;齐良颉;张欣 申请(专利权)人: 比亚迪股份有限公司
主分类号: G05F3/24 分类号: G05F3/24
代理公司: 深圳创友专利商标代理有限公司 代理人: 喻尚威
地址: 518119广东省深*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公告了一种带隙基准电压产生电路,包括具有三个电流通路的电流镜电路和反馈控制电路。电流镜电路的每个电流通路包括两个漏源端串联的PMOS晶体管。增设第五电阻,其与第一电流通路的漏端电阻、第二电流通路的漏端电阻构成T型无源电阻网络。采用T型无源电阻网络代替了原有的独立漏端电阻,减少了总的电阻阻值及电阻所占的芯片面积。采用共源共栅的电流镜结构,在每个电流镜分支增加了一个PMOS晶体管,电流源输出阻抗显著增大,沟道长度调制效应的影响减少,输出的基准电压对电源电压的敏感度降低。还降低反馈控制电路的输入电平,使得设计选择更加灵活。可以在低于1.2V的电源电压下以很低的功耗提供稳定的基准电压。
搜索关键词: 基准 电压 产生 电路
【主权项】:
1.一种带隙基准电压产生电路,包括具有至少三个电流通路的电流镜电路、反馈控制电路;所述电流镜电路的第一电流通路包括串联的第一MOS晶体管、第一双极型晶体管以及与第一双极型晶体管并联的第一电阻,第二电流通路包括依次串联的第二MOS晶体管、第三电阻、第二双极型晶体管网络以及与第三电阻、第二双极型晶体管网络并联的第二电阻,第三电流通路包括串联的第三MOS晶体管和第四电阻;所述反馈控制电路的输出端与第一MOS晶体管、第二MOS晶体管和第三MOS晶体管的栅极连接,反馈控制电路的输入端与第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的漏极分别连接;其特征在于:还包括第五电阻,所述第五电阻与第一电阻、第二电阻构成T型电阻网络,第五电阻、第一电阻和第二电阻的一端部连接在一起,第一电阻的另一端部与第一双极型晶体管的输入端连接,第二电阻的另一端部与第三电阻的输入端连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于比亚迪股份有限公司,未经比亚迪股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200720172237.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top