[实用新型]提高发光二极管发光效率的封装结构无效
申请号: | 200720171898.4 | 申请日: | 2007-09-20 |
公开(公告)号: | CN201112411Y | 公开(公告)日: | 2008-09-10 |
发明(设计)人: | 章稚青;娄朝纲 | 申请(专利权)人: | 深圳市企荣科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 深圳市维邦知识产权事务所 | 代理人: | 杨金 |
地址: | 518000广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型提供一种提高发光二极管发光效率的封装结构,包括发光二极管芯片,固定发光二极管芯片的固定座,将发光二极管芯片封装在所述固定座上并折射光线的透明体;所述透明体外表面设有一层荧光粉层或者内部设有荧光粉夹层。本实用新型用来提高发光二极管的发光效率。相比现有技术,本实用新型将激发荧光的荧光粉层设在了透镜的内表面和外表面,可以减少发光二极管芯片发出的光的反射,有效地提高发光二极管的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 提高 发光二极管 发光 效率 封装 结构 | ||
【主权项】:
1、一种提高发光二极管发光效率的封装结构,包括发光二极管芯片,固定发光二极管芯片的固定座,将发光二极管芯片封装在所述固定座上并折射光线的透明体;其特征在于:所述透明体外表面设有一层荧光粉层或者内部设有荧光粉夹层。
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