[实用新型]发光二极管的封装结构无效

专利信息
申请号: 200720000343.3 申请日: 2007-01-25
公开(公告)号: CN201025615Y 公开(公告)日: 2008-02-20
发明(设计)人: 庄世任;张正宜;林治民;谢忠全;林明魁 申请(专利权)人: 亿光电子工业股份有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 代理人: 寿宁;张华辉
地址: 中国台湾台北县*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 实用新型是有关于一种发光二极管的封装结构,其包含一第一导线架、一第二导线架以及一发光二极管晶片。该第一导线架具有一第一功能区,该第二导线架具有一第二功能区。其中,第一功能区是低陷于第一导线架其它部分,第二功能区是低陷于第二导线架的其它部分,且配置对应于第一功能区,以与第一功能区形成一低陷空间。该发光二极管晶片,配置于所形成的低陷空间中,具有二电极点,分别电性连接至第一功能区及第二功能区。相较于现有技术将发光二极管配置于一导线架上,本实用新型是将发光二极管晶片配置于二导线架所形成的低陷空间中,其中,低陷空间为功能区,且功能区具有足够支撑发光二极管晶片的厚度,因此提供了一种超薄型的发光二极管,非常适于实用。
搜索关键词: 发光二极管 封装 结构
【主权项】:
1.一种发光二极管的封装结构,其特征在于其至少包含:一第一导线架,具有一第一功能区,其中该第一功能区是低陷于该第一导线架之中;一第二导线架,具有一第二功能区,其中该第二功能区是低陷于该第二导线架之中,且配置对应于该第一功能区,以与该第一功能区形成一低陷空间;以及一发光二极管晶片,配置于所形成的该低陷空间中,其中该发光二极管晶片具有二电极点,分别电性连接至该第一功能区以及该第二功能区。
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