[发明专利]不锈钢基底上沉积类金刚石碳薄膜的方法无效
申请号: | 200710308579.8 | 申请日: | 2007-12-25 |
公开(公告)号: | CN101469408A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 张俊彦;王舟;王成兵;王琦 | 申请(专利权)人: | 中国科学院兰州化学物理研究所 |
主分类号: | C23C16/27 | 分类号: | C23C16/27;C23C16/513;B08B3/12 |
代理公司: | 兰州中科华西专利代理有限公司 | 代理人: | 方晓佳 |
地址: | 730000甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了在不锈钢基底上直接沉积类金刚石碳薄膜的制备方法。本发明利用等离子体增强化学气相沉积技术,以不锈钢为基底材料,利用甲烷和氢气作为气源,在脉冲负偏压的作用下在基底上直接沉积类金刚石碳薄膜。其特点是:设备简单,沉积温度低,成膜均匀,薄膜和基底之间没有添加过渡层,并且薄膜和基底结合良好,薄膜具有优良的摩擦磨损特性。用这种方法制得的薄膜在各种需要减磨抗磨的环境中具有潜在的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 不锈钢 基底 沉积 金刚石 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
1、一种不锈钢基底上沉积类金刚石碳薄膜的方法,采用等离子体增强化学气相沉积技术;其特征在于包括以下步骤:(1)将预先清洁后的不锈钢片放入丙酮、乙醇中超声清洗,然后转移至真空腔,放置在下部的基底盘上,基底盘和负偏压电源相连;(2)抽真空直到腔内真空度小于2.0×10-3Pa;(3)通入氩气(20sccm),在脉冲偏压800伏特,导通比0.6的条件下进行等离子体清洗30分钟,用以除去表面残留的杂质和污染物;(4)通入甲烷(10. 3sccm)和氢气(20sccm),在脉冲偏压1000伏特、沉积气压13帕、导通比0.6的条件下镀膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的