[发明专利]图像传感器及其制造方法

摘要

一种图像传感器及其制造方法，该图像传感器包括：第一光电二极管，形成于半导体衬底中红光可达到的深度处；第二光电二极管，设置于半导体衬底中第一光电二极管之上或上方，处在蓝光可达到的深度；第三光电二极管，设置成邻近第二光电二极管；插塞，连接到第一光电二极管；晶体管结构，位于半导体衬底上，且与第一光电二极管、第二光电二极管、第三光电二极管电连接；绝缘层，覆盖晶体管结构；以及微透镜，位于绝缘层上。

主权项

1.一种图像传感器，包括：第一光电二极管，位于半导体衬底中，处在配置用于检测第一波长的光线的深度；第二光电二极管，位于所述半导体衬底中所述第一光电二极管之上，处在配置用于检测第二波长的光线的深度，所述第二波长短于所述第一波长；第三光电二极管，邻近所述第二光电二极管；插塞，与所述第一光电二极管电接触；晶体管区，位于所述半导体衬底上，并与所述第一光电二极管、所述第二光电二极管以及所述第三光电二极管电连接；绝缘层，覆盖所述晶体管区；以及微透镜，位于所述绝缘层之上或上方。