[发明专利]一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池有效
| 申请号： | 200710304230.7 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101197399A | 公开（公告）日： | 2008-06-11 |
| 发明（设计）人： | 赵雷;王文静;刁宏伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院电工研究所 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/075;H01L31/06;H01L31/036 |
| 代理公司： | 北京科迪生专利代理有限责任公司 | 代理人： | 关玲;成金玉 |
| 地址： | 100080北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池，包括p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)背光面上的n型掺杂薄膜硅层(2)，在n型掺杂薄膜硅层(2)上的背电极(3)，以及在p型硅衬底(1)迎光面上的前透明导电电极(4)。在p型硅衬底(1)和n型掺杂薄膜硅层(2)之间可加入第一种本征薄膜硅层(5)；亦可在p型硅衬底(1)和前透明导电电极(4)之间加入第二种本征薄膜硅层(6)和/或p型掺杂薄膜硅层(7)；在前透明导电电极(4)上还可以有金属栅线(8)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 晶体 硅背结 太阳能电池 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池，其特征在于该太阳能电池包括p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)背光面上的n型掺杂薄膜硅层(2)，在所述n型掺杂薄膜硅层(2)上的背电极(3)，以及在p型硅衬底(1)迎光面上的前透明导电电极(4)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
