[发明专利]一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池

权利要求书

1.一种薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池，其特征在于该太阳能电池包括p型硅衬底(1)，在p型硅衬底(1)背光面上的n型掺杂薄膜硅层(2)，在所述n型掺杂薄膜硅层(2)上的背电极(3)，以及在p型硅衬底(1)迎光面上的前透明导电电极(4)。

2.根据权利要求1所述的薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池，其中，所述的p型硅衬底(1)是CZ单晶硅衬底、FZ单晶硅衬底或多晶硅衬底，表面是平面或具有绒面结构；所述的n型掺杂薄膜硅层(2)是非晶硅、纳米晶硅、微晶硅或其它含硅材料；所述的背电极(3)是任意可导电的材料；所述的前透明导电电极(4)是功函数高于5.0eV的材料。

3.根据权利要求1或2所述的薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池，其特征在于可以在p型硅衬底(1)和n型掺杂薄膜硅层(2)之间添加第一种本征薄膜硅层(5)；可以在p型硅衬底(1)和前透明导电电极(4)之间添加第二种本征薄膜硅层(6)；可以在第二种本征薄膜硅层(6)和前透明导电电极(4)之间添加p型掺杂薄膜硅层(7)；也可以在p型硅衬底(1)和前透明导电电极(4)之间只添加p型掺杂薄膜硅层(7)。

4.根据权利要求3所述的薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池，其特征在于所述的第一种本征薄膜硅层(5)是非晶硅、纳米晶硅、微晶硅或其它含硅材料；所述的第二种本征薄膜硅层(6)是非晶硅、纳米晶硅、微晶硅或其它含硅材料；所述的p型掺杂薄膜硅层(7)是非晶硅、纳米晶硅、微晶硅或其它含硅材料。

5.根据权利要求1、2、4所述的薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池，其特征在于在前透明导电电极(4)上可以含有增加电流侧向收集效率的金属栅线(8)。

6.根据权利要求3所述的薄膜硅/晶体硅背结太阳能电池，其特征在于在前透明导电电极(4)上可以含有增加电流侧向收集效率的金属栅线(8)。