[发明专利]一种高氨基含量有序介孔二氧化硅薄膜及其制备方法和应用无效
| 申请号： | 200710303403.3 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101214966A | 公开（公告）日： | 2008-07-09 |
| 发明（设计）人： | 王建方;张学骜;吴文健;满亚辉;胡碧茹 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C01B33/14 | 分类号： | C01B33/14;C01B33/157;C09K9/00 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 410073湖南省长沙市砚瓦池正街4*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高氨基含量有序介孔二氧化硅薄膜及其制备方法和应用。本发明的制备方法是在常温常压下，以多种表面活性剂为模板，以正硅酸乙酯和3－氨丙基三乙氧基硅烷为硅源，采用共溶胶方式，通过在部分水解的硅溶胶里面直接引入氨基硅烷，使氨基硅烷占整个硅烷的摩尔百分比达到30～60％，形成均相溶液后，依靠硅烷和有机模板的协同作用，在洁净的基片上浸渍-提拉成膜，最终形成具有不同介观结构的高氨基含量功能化有序介孔二氧化硅薄膜。本发明的二氧化硅介孔薄膜对有机分子、无机阴离子、蛋白质和酶分子等客体物质具有优良的组装和固定性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氨基 含量 有序 二氧化硅 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种高氨基含量有序介孔二氧化硅薄膜，其特征在于所述二氧化硅薄膜是以表面活性剂为模板，以正硅酸乙酯和3-氨丙基三乙氧基硅烷为硅源，采用共溶胶方式，蒸发诱导自组装制备得到，所述二氧化硅薄膜的比表面积为600～800m2/g，所述二氧化硅薄膜表面有机基团的分布为2～5个氨基/nm2，所述二氧化硅薄膜的介孔尺寸为1nm～9nm。
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