[发明专利]用于清洗硅片的方法无效
| 申请号： | 200710302328.9 | 申请日： | 2007-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101211774A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 金仁贞;裵昭益 | 申请（专利权）人： | 斯尔瑞恩公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/00;B08B3/08 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;李丙林 |
| 地址： | 韩国庆*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于清洗硅片的方法，包括(S1)用于清洗硅片表面的第一清洗步骤，其中利用根据标准清洗1的SC－1清洗溶液；(S2)用于清洗在第一清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第二清洗步骤，其中利用根据标准清洗2的SC－2清洗溶液；(S3)用于清洗在第二清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第三清洗步骤，其中利用氢氟酸(HF)溶液；以及(S4)用于清洗在第三步骤中清洗的所述硅片表面的第四清洗步骤，其中利用臭氧水。本发明有效地去除硅片表面上的金属杂质并改进硅片的表面粗糙度，因而能够提供具有显著改进的物理特性的硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 清洗 硅片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于清洗硅片的方法，包括：(S1)用于清洗硅片表面的第一清洗步骤，其中利用根据标准清洗1的SC-1清洗溶液；(S2)用于清洗在所述第一清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第二清洗步骤，其中利用根据标准清洗2的SC-2清洗溶液；(S3)用于清洗在所述第二清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第三清洗步骤，其中利用氢氟酸(HF)溶液；以及(S4)用于清洗在所述第三清洗步骤中清洗的所述硅片表面的第四清洗步骤，其中利用臭氧水。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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