[发明专利]晶体管及其制造方法以及具有该晶体管的平板显示器有效
| 申请号： | 200710301181.1 | 申请日： | 2007-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN101211979A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 朴炳建;梁泰勋;徐晋旭;丁世桓;李基龙;马克西姆·莉萨契克 | 申请（专利权）人： | 三星SDI株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/04;H01L21/336;H01L21/20 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郭鸿禧;刘奕晴 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶体管及其制造方法以及具有该晶体管的平板显示器。所述晶体管包括：基底；有源区，包括源区、沟道区和漏区，所述源区、沟道区和漏区利用SGS结晶方法结晶，并且形成在基底上，使得第一退火部分和第二退火部分的晶粒尺寸彼此不同；栅极绝缘层，形成在有源区上；栅电极，形成在栅极绝缘层上。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 及其 制造 方法 以及 具有 平板 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：基底；有源区，包括源区、沟道区和漏区，所述源区、沟道区和漏区使用超级晶粒硅结晶方法结晶，并且形成在所述基底上，使得第一退火部分的晶粒尺寸和第二退火部分的晶粒尺寸彼此不同；栅极绝缘层，形成在所述有源区上；栅电极，形成在所述栅极绝缘层上。
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