[发明专利]多级半导体存储装置及其编程方法有效
| 申请号： | 200710300427.3 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101211661A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 玄在雄;赵庆来;朴奎灿;朴允童;李忠浩;边成宰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 韩明星;常桂珍 |
| 地址： | 韩国京畿道*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种多级半导体存储装置及其编程方法，在示例性实施例中，将n比特数据编程到半导体存储装置的方法可包括：从第一锁存器输出已写入存储单元的所述数据的第一比特；将所述数据的第一比特存储到第三锁存器；将所述数据的第二比特存储到第一锁存器；从第一锁存器输出所述数据的第二比特；将所述数据的第二比特存储到第二锁存器；参照存储在第三锁存器中的所述数据的第一比特的数据存储状态，将存储在第二锁存器中的所述数据的第二比特写入存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 半导体 存储 装置 及其 编程 方法 | ||
【主权项】：
1.一种将n比特数据编程到半导体存储装置的方法，包括：将所述数据的第k-1比特存储到第一锁存器，其中，k为大于2的自然数；将存储在第一锁存器中的所述数据的第k-1比特存储到第三锁存器；将所述数据的第k比特存储到第一锁存器；将存储在第一锁存器中的所述数据的第k比特存储到第二锁存器；参照存储在第三锁存器中的所述数据的第k-1比特的数据存储状态，将存储在第二锁存器中的所述数据的第k比特写入存储单元。
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