[发明专利]使用编程数据高速缓存的闪存设备及其编程方法有效
| 申请号： | 200710199927.2 | 申请日： | 2007-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN101188142A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 姜东求;林瀛湖;姜相求 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元。所述方法包括将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括通过第一校验电压执行的第一校验读取操作、确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作以及根据所述确定重编程所选择的存储器单元。重编程所选择的存储器单元包括通过第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 编程 数据 高速缓存 闪存 设备 及其 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于对闪存设备进行编程的方法，所述闪存设备包括存储表示多个状态之一的多位数据的多个存储器单元，所述方法包括：将所述多位数据编程到所述多个存储器单元的所选择的存储器单元中，所述编程包括按照第一校验电压执行的第一校验读取操作；确定是否对所选择的存储器单元中的每一个执行重编程操作；以及根据所述确定重编程所选择的存储器单元，其中重编程所选择的存储器单元包括按照第二校验电压执行的第二校验读取操作，所述第二校验电压高于所述第一校验电压。
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