[发明专利]GaN基发光二极管表面粗化的处理方法无效
| 申请号： | 200710199280.3 | 申请日： | 2007-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101226977A | 公开（公告）日： | 2008-07-23 |
| 发明（设计）人： | 李培咸;高志远;郝跃;周小伟 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 陕西电子工业专利中心 | 代理人： | 王品华;韦全生 |
| 地址： | 71007*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种GaN基发光二极管表面粗化的处理方法，它涉及半导体光电子器件制造技术领域，其目的在于，采用该方法可以在不影响器件的其它光电特性的情况下，提高器件的光取出率。该方法的实现过程为：(1)在600℃～750℃的低温条件下，生长GaN基发光二极管外延片中的p型GaN帽层，使该帽层的位错沿垂直于外延表面的方向传播，不发生弯曲，从而使该帽层的位错密度增大而不影响器件的光电特性；(2)在设定的腐蚀温度和时间下用熔融的KOH腐蚀发光二极管外延片，p型GaN层内高密度的垂直于外延表面的位错被选择性腐蚀，在器件表面形成密集的形状规则的腐蚀坑。本发明可用于提高器件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | gan 发光二极管 表面 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种GaN基发光二极管表面粗化的处理方法，其具体实现步骤如下：(1)在600℃～750℃的低温条件下生长GaN基LED外延片中的p型GaN帽层，使该帽层的位错沿垂直于外延表面的方向传播，不发生弯曲，从而使该帽层的位错密度增大而不影响器件的光电特性；(2)在设定的腐蚀温度和时间下用熔融的KOH腐蚀LED外延片，p型GaN层内高密度的垂直于外延表面的位错被选择性腐蚀，在器件表面形成密集的形状规则的腐蚀坑。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710199280.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
