[发明专利]薄膜体声波谐振器和滤波器有效
| 申请号: | 200710198855.X | 申请日: | 2007-12-14 |
| 公开(公告)号: | CN101207370A | 公开(公告)日: | 2008-06-25 |
| 发明(设计)人: | 原基扬;西原时弘;上田政则;远藤刚 | 申请(专利权)人: | 富士通媒体部品株式会社;富士通株式会社 |
| 主分类号: | H03H9/15 | 分类号: | H03H9/15;H03H9/54 |
| 代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人: | 孙海龙 |
| 地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供了薄膜体声波谐振器和滤波器。该薄膜体声波谐振器包括:下电极,其形成在基板的空腔上或以在该下电极和所述基板之间形成空腔的方式形成;压电薄膜,其形成在所述下电极上;上电极,其形成在所述压电薄膜上以获得隔着所述压电薄膜与所述下电极相对的谐振区;支撑区,其设置在所述谐振区的周围,该支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的0.35倍到0.65倍,并透射所述波;以及相邻区,其设置在所述支撑区的周围并阻挡所述波。 | ||
| 搜索关键词: | 薄膜 声波 谐振器 滤波器 | ||
【主权项】:
1.一种薄膜体声波谐振器,该薄膜体声波谐振器包括:下电极,其形成在基板的空腔上或以在该下电极和所述基板之间形成空腔的方式形成;压电薄膜,其形成在所述下电极上;上电极,其形成在所述压电薄膜上,以获得隔着所述压电薄膜与所述下电极相对的谐振区;支撑区,其设置在所述谐振区的周围,该支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的0.35倍到0.65倍,并透射所述波;以及相邻区,其设置在所述支撑区的周围并阻挡所述波。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通媒体部品株式会社;富士通株式会社,未经富士通媒体部品株式会社;富士通株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710198855.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:多相聚合物共混物的制备方法
- 下一篇:光束的频率寻址矩阵路径头





