[发明专利]薄膜体声波谐振器和滤波器有效

专利信息
申请号: 200710198855.X 申请日: 2007-12-14
公开(公告)号: CN101207370A 公开(公告)日: 2008-06-25
发明(设计)人: 原基扬;西原时弘;上田政则;远藤刚 申请(专利权)人: 富士通媒体部品株式会社;富士通株式会社
主分类号: H03H9/15 分类号: H03H9/15;H03H9/54
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 代理人: 孙海龙
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 薄膜 声波 谐振器 滤波器
【权利要求书】:

1.一种薄膜体声波谐振器,该薄膜体声波谐振器包括:

下电极,其形成在基板的空腔上或以在该下电极和所述基板之间形成空腔的方式形成;

压电薄膜,其形成在所述下电极上;

上电极,其形成在所述压电薄膜上,以获得隔着所述压电薄膜与所述下电极相对的谐振区;

支撑区,其设置在所述谐振区的周围,该支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的0.35倍到0.65倍,并透射所述波;以及

相邻区,其设置在所述支撑区的周围并阻挡所述波。

2.一种薄膜体声波谐振器,该薄膜体声波谐振器包括:

下电极,其形成在基板的空腔上或以在该下电极和所述基板之间形成空腔的方式形成;

压电薄膜,其形成在所述下电极上;

上电极,其形成在所述压电薄膜上以获得隔着所述压电薄膜与所述下电极相对的谐振区;

支撑区,其设置在所述谐振区的周围,该支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的0.35倍到0.65倍,并由所述空腔上的下电极和压电薄膜组成;以及

相邻区,其设置在所述支撑区的周围并且由所述基板、下电极和压电薄膜组成。

3.一种薄膜体声波谐振器,该薄膜体声波谐振器包括:

下电极,其形成在基板的空腔上或以在该下电极和所述基板之间形成空腔的方式形成;

压电薄膜,其形成在所述下电极上;

上电极,其形成在所述压电薄膜上以获得隔着所述压电薄膜与所述下电极相对的谐振区;

支撑区,其设置在所述谐振区的周围,该支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的0.35倍到0.65倍,并由所述空腔上的压电薄膜和上电极组成;以及

相邻区,其设置在所述支撑区的周围并且由所述基板、压电薄膜和上电极组成。

4.一种薄膜体声波谐振器,该薄膜体声波谐振器包括:

下电极,其形成在基板的空腔上或以在该下电极和所述基板之间形成空腔的方式形成;

压电薄膜,其形成在所述下电极上;

上电极,其形成在所述压电薄膜上以获得隔着所述压电薄膜与所述下电极相对的谐振区;

支撑区,其设置在所述谐振区的周围,该支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的0.35倍到0.65倍,并由所述空腔上的所述上电极和下电极中的一个和所述压电薄膜组成;以及

相邻区,其设置在所述支撑区的周围并且由位于所述空腔上的压电薄膜组成。

5.一种薄膜体声波谐振器,该薄膜体声波谐振器包括:

下电极,其形成在基板的空腔上或以在该下电极和所述基板之间形成空腔的方式形成;

压电薄膜,其形成在所述下电极上;

上电极,其形成在所述压电薄膜上以获得隔着所述压电薄膜与所述下电极相对的谐振区;

支撑区,其设置在所述谐振区的周围,并由所述空腔上的所述上电极和下电极中的一个和所述压电薄膜组成;以及

相邻区,其设置在所述支撑区的周围并且由位于所述空腔上的所述上电极和下电极中的一个、所述压电薄膜和增重薄膜组成。

6.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器,其中,所述支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的0.35倍到0.65倍。

7.根据权利要求5所述的薄膜体声波谐振器,其中,所述增重薄膜是金属薄膜或绝缘薄膜。

8.根据权利要求1所述的薄膜体声波谐振器,其中,所述支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的一半。

9.一种具有薄膜体声波谐振器的滤波器,所述薄膜体声波谐振器具有下电极、压电薄膜、上电极、支撑区和相邻区,

所述下电极形成在基板的空腔上或以在该下电极和所述基板之间形成空腔的方式形成;

所述压电薄膜形成在所述下电极上;

所述上电极形成在所述压电薄膜上以获得隔着所述压电薄膜与所述下电极相对的谐振区;

所述支撑区设置在所述谐振区的周围,并且该支撑区的宽度为沿横向传播的波的波长的0.35倍到0.65倍,所述波穿过该支撑区;以及

所述相邻区设置在所述支撑区的周围并且阻挡所述波。

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