[发明专利]树脂膜评价方法和制造半导体装置的方法无效
| 申请号： | 200710196089.3 | 申请日： | 2007-12-03 |
| 公开（公告）号： | CN101192555A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 上柳寿子;柴田聪;金木励起;宫川纮平 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/266;G03F7/42 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在本发明的树脂膜评价方法和应用该树脂膜评价方法制造半导体装置的方法中，首先，用荷能带电粒子照射在绝缘膜上形成有树脂膜的基板，该树脂膜带有开口，在开口中，绝缘膜的表面被露出。然后，测量用荷能带电粒子照射的基板表面的表面电位。根据测量值，获得树脂膜和开口中露出的绝缘膜之间的表面电位差。根据表面电位差，预测在进行规定的处理后获得的物理量如树脂膜残渣计数。以这种方式，由于荷能带电粒子如注入离子而在树脂膜表面上形成的变质层可以以简单和高度准确的方式进行评价。 | ||
| 搜索关键词： | 树脂 评价 方法 制造 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种树脂膜评价方法，包括以下步骤：用荷能带电粒子照射在绝缘层上形成有树脂膜的基板，所述树脂膜带有露出所述绝缘层的表面的开口；测量用所述荷能带电粒子照射的基板表面的表面电位；获得所述树脂膜和所述开口中露出的绝缘膜之间的表面电位差；和基于所述表面电位差，估计随着用所述荷能带电粒子照射的所述树脂膜上进行的处理的完成情况而发生变化的物理量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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