[发明专利]发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 200710188666.4 | 申请日： | 2007-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN101442090A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 黄承扬;顾浩民;赵煦;赵主立;宣融 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法。该发光二极管至少包括一个基板、一个锯齿状多层膜、一层第一形态半导体层、一层主动发光层以及一层第二形态半导体层。其中锯齿状多层膜是利用自我复制式光子晶体(autocloning photonic crystal)制作方法，在第一形态半导体层底下相对于主动发光层处形成。由于这层锯齿状多层膜存在于发光二极管的基板上，所以可将主动发光层背面发散的光线经由此结构反射回收再次利用，使所有光线均集中正向出光，提升发光二极管的光汲取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种发光二极管，至少包括：基板；第一形态半导体层，位于该基板上；主动发光层，位于该第一形态半导体层上；第二形态半导体层，位于该主动发光层上；以及锯齿状多层膜，位于该第一形态半导体层底下相对于该主动发光层配置。
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