[发明专利]纳米晶荧光体和被覆纳米晶荧光体及其制备方法有效
| 申请号： | 200710181160.0 | 申请日： | 2007-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN101161766A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 两轮达也;斋藤肇 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | C09K11/62 | 分类号： | C09K11/62;C09K11/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明披露具有芯/壳结构的纳米晶荧光体，所述芯/壳结构由第13族氮化物半导体的芯和覆盖芯的壳层形成，所述壳层包括13族氮化物混晶半导体的壳膜。该纳米晶荧光体具有高的发光效率并具有优异的可靠性。本发明还披露被覆纳米晶荧光体，通过使改性有机分子与纳米晶荧光体结合和/或用改性有机分子被覆纳米晶荧光体制得该被覆纳米晶荧光体。该被覆纳米晶荧光体具有高的分散性。本发明还披露通过加热混合溶液制备被覆纳米晶荧光体的方法，所述混合溶液包含第13族氮化物半导体的芯、含氮化合物、含第13族元素的化合物和改性有机分子。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 荧光 被覆 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有芯/壳结构的纳米晶荧光体，其包括：第13族氮化物半导体的芯；和覆盖所述芯的壳层，其包括第13族氮化物混晶半导体的壳膜。
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