[发明专利]电阻式存储器元件及其制造方法与操作方法有效
| 申请号： | 200710180755.4 | 申请日： | 2007-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101162760A | 公开（公告）日： | 2008-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李明道;何家骅;赖二琨;谢光宇 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C11/56;G11C16/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种电阻式存储器元件，其配置于衬底上，包括钨电极、上电极与氧化钨层。上电极配置于钨电极上。氧化钨层配置于钨电极与上电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 元件 及其 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式存储器元件，配置于一衬底上，其特征在于，包括：一钨电极；一上电极，配置于该钨电极上；以及一氧化钨层，配置于该钨电极与该上电极之间。
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