[发明专利]一种含有光敏三极管器件的CMOS电路制造方法有效
| 申请号： | 200710173867.7 | 申请日： | 2007-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN101471294A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 陈康民 | 申请（专利权）人： | 上海贝岭股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/822 | 分类号： | H01L21/822;H01L21/265;H01L31/18;H01L27/144 |
| 代理公司： | 北京金信立方知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄 威;徐金伟 |
| 地址： | 20023*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种含有光敏三极管器件的CMOS电路制造方法，其特征在于，在常规的CMOS电路制造基础上，采用硼双电荷注入技术形成所述光敏三极管的基区，并且使所述光敏三极管的发射极和集电极(16’)与CMOS工艺的N+源漏区(16)兼容，使所述光敏三极管的基区接头(17’)与CMOS工艺的P+源漏区(17)兼容，且所述光敏三极管的集电区制作在CMOS的N阱上；所述硼双电荷注入，是向硅片内注入带有两个电荷的硼原子量为5.5的离子，即5.5B+。利用本发明可以实现光敏三极管与一般CMOS集成电路的一体化，既缩小了面积又提高了可靠性。本发明可以应用于含有光敏三极管器件的CMOS工艺制造中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 含有 光敏 三极管 器件 cmos 电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种含有光敏三极管器件的CMOS电路制造方法，其特征在于，在常规的CMOS电路制造基础上，采用硼双电荷注入技术形成所述光敏三极管的基区，并且使所述光敏三极管的发射极和集电极(16’)与CMOS工艺的N+源漏区(16)兼容，使所述光敏三极管的基区接头(17’)与CMOS工艺的P+源漏区(17)兼容，且所述光敏三极管的集电区制作在CMOS的N阱上；所述硼双电荷注入，是向硅片内注入带有两个电荷的硼原子量为5.5的离子，即5.5B+。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海贝岭股份有限公司，未经上海贝岭股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710173867.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：PE文件源代码一致性的判定方法及装置
- 下一篇：高效可传递存档器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
