[发明专利]铝镓氮-锆钛酸铅焦平面探测器无效
申请号: | 200710172703.2 | 申请日: | 2007-12-21 |
公开(公告)号: | CN101211958A | 公开(公告)日: | 2008-07-02 |
发明(设计)人: | 张燕;孙璟兰;王妮丽;李向阳;陈杰;刘向阳;韩莉;孟祥建 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L27/16 | 分类号: | H01L27/16;H01L27/144;H01L31/09;H01L37/00;G01J1/00;G01J5/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 20008*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种AlGaN-PZT焦平面探测器,它采用两种不同响应波段材料同相叠加集成结构。利用多层薄膜结构中不同层对于不同光子能量的光吸收的差别,实现了在紫外到红外的宽波段吸收和高分辨率的有机结合。外延层AlGaN作为紫外吸收层,吸收能量大于其禁带宽度的入射光子,并转化为光电流;同时作为窗口层,使能量小于其禁带宽度的入射光子透过。透过的光子被LaNiO3吸收转化为热量,传递给PZT材料,利用热释电性质,得到光信号。本发明的优点是:适应大规模焦平面应用,并且可以室温工作。 | ||
搜索关键词: | 铝镓氮 锆钛酸铅焦 平面 探测器 | ||
【主权项】:
1.一种AlGaN-PZT焦平面探测器,包括:蓝宝石衬底(1),其特征在于:在蓝宝石衬底(1)上依次置有AlGaN NIP型紫外列阵探测器和PZT铁电复合薄膜红外列阵探测器;在紫外列阵探测器和PZT铁电复合薄膜列阵探测器之间置有防止串音的多孔SiO2隔热层(7)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的