[发明专利]用于减少晶片表面缺陷的湿式蚀刻方法及其装置有效
| 申请号： | 200710172511.1 | 申请日： | 2007-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN101465273A | 公开（公告）日： | 2009-06-24 |
| 发明（设计）人： | 徐宽;汤舍予;林德成;罗仕洲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/302;H01L21/311;B08B3/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 楼仙英 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于减少晶片表面缺陷的湿式蚀刻方法及其装置，在半导体制造工艺中的磷酸湿式制程后续的清洗过程中，容易出现因气泡附着于晶片表面而导致晶片表面气泡附着之处出现新月形缺陷的问题，最终影响产品良率。本发明的方法和装置针对上述问题而提出，可以使湿式制程中气泡附着于晶片表面的几率大为降低，几乎完全避免上述的缺陷问题。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减少 晶片 表面 缺陷 蚀刻 方法 及其 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种用于减少晶片表面缺陷的湿式蚀刻方法，包括以下步骤：a 用氢氟酸浸泡去除所述晶片上的氧化硅，和/或用磷酸浸泡去除所述晶片上的氮化硅或氮氧化硅；其中，在所述步骤a之后还包括下列步骤：b 将所述晶片浸入去离子水中；d 排除所述去离子水，并向所述晶片喷洒去离子水，以使所述晶片始终被去离子水包围；其中，步骤b～d执行一次或者一次以上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
