[发明专利]层间介电质化学机械研磨的时间反馈控制方法及系统无效
| 申请号： | 200710171954.9 | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN101452266A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | 李健 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G05B19/04 | 分类号： | G05B19/04;H01L21/00;H01L21/3105;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 陆 嘉 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种层间介电质化学机械研磨的时间反馈控制方法，包括：根据晶片实测厚度数据和设定的研磨速率对预定数量的一组晶片依次进行层间介电质的化学机械研磨；分别获取研磨所述一组晶片中的每一个晶片的时间，作为反馈时间依次提供给先进过程控制系统；先进控制系统依次检查每一个反馈时间是否在预定的控制限制范围内，如果在预定的控制限制范围内，保留该数据；如果超出了预定的控制限制范围，该先进控制系统计算一修正值替换该反馈时间；所述先进过程控制系统根据经过修正的反馈时间确定同样是该预定数量的下一组晶片中每一个晶片的研磨时间，其中，每一个晶片的研磨时间由与该晶片在该组中的顺序位置对应的反馈时间确定。 | ||
| 搜索关键词： | 层间介电质 化学 机械 研磨 时间 反馈 控制 方法 系统 | ||
【主权项】：
1. 一种层间介电质化学机械研磨的时间反馈控制方法，其中，该层间介电质化学机械研磨由先进过程控制系统控制，该方法包括：根据晶片实测厚度数据和设定的研磨速率对预定数量的一组晶片依次进行层间介电质的化学机械研磨；分别获取研磨所述一组晶片中的每一个晶片的时间，作为反馈时间依次提供给所述先进过程控制系统；所述先进控制系统依次检查每一个反馈时间是否在预定的控制限制范围内，如果在预定的控制限制范围内，保留该数据；如果超出了预定的控制限制范围，该先进控制系统计算一修正值替换该反馈时间；所述先进过程控制系统根据经过修正的反馈时间确定同样是该预定数量的下一组晶片中每一个晶片的研磨时间，其中，每一个晶片的研磨时间由与该晶片在该组中的顺序位置对应的反馈时间确定。
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