[发明专利]层间介电质化学机械研磨的时间反馈控制方法及系统

权利要求书

1.一种层间介电质化学机械研磨的时间反馈控制方法，其中，该层间介电质化学机械研磨由先进过程控制系统控制，该方法包括：

根据晶片实测厚度数据和设定的研磨速率对预定数量的一组晶片依次进行层间介电质的化学机械研磨；

分别获取研磨所述一组晶片中的每一个晶片的时间，作为反馈时间依次提供给所述先进过程控制系统；

所述先进控制系统依次检查每一个反馈时间是否在预定的控制限制范围内，如果在预定的控制限制范围内，保留该数据；如果超出了预定的控制限制范围，该先进控制系统计算一修正值替换该反馈时间；

所述先进过程控制系统根据经过修正的反馈时间确定同样是该预定数量的下一组晶片中每一个晶片的研磨时间，其中，每一个晶片的研磨时间由与该晶片在该组中的顺序位置对应的反馈时间确定。

2.如权利要求1所述的层间介电质化学机械研磨的时间反馈控制方法，其特征在于，

所述晶片实测厚度数据包括使用Nova测量方法测量得到的研磨前的晶片厚度和研磨后的晶片厚度。

3.如权利要求1所述的层间介电质化学机械研磨的时间反馈控制方法，其特征在于，在反馈时间超出预定的范围时，对该反馈时间进行的修正包括：

如果该反馈时间没有超出规范限制，使用该组晶片的所有反馈时间的平均值进行替换；

如果该反馈时间超出规范限制，使用该组晶片中除了该反馈时间以外的其他反馈时间的平均值进行替换。

4.如权利要求3所述的层间介电质化学机械研磨的时间反馈控制方法，其特征在于，

当一组反馈时间中有一个以上的反馈时间超出规范限制时，计算反馈时间的平均值时排除所有超出规范限制的反馈时间。

5.一种层间介电质化学机械研磨的时间反馈控制系统，应用于控制该层间介电质化学机械研磨的先进过程控制系统，该时间反馈控制系统包括：

反馈时间获取装置，获取根据晶片实测厚度数据和设定的研磨速率对预定数量的一组晶片依次进行层间介电质的化学机械研磨的过程中每一个晶片的研磨时间，这些研磨时间被依次作为反馈时间；

反馈时间修正装置，依次检查每一个反馈时间是否在预定的控制限制范围内，如果在预定的控制限制范围内，保留该数据；如果超出了预定的控制限制范围，则计算一修正值替换该反馈时间；

该经过修正的反馈时间被提供给所述先进过程控制系统，用于确定同样是该预定数量的下一组晶片中每一个晶片的研磨时间，其中，每一个晶片的研磨时间由与该晶片在该组中的顺序位置对应的反馈时间确定。

6.如权利要求5所述的层间介电质化学机械研磨的时间反馈控制系统，其特征在于，

所述晶片实测厚度数据包括使用Nova测量方法测量得到的研磨前的晶片厚度和研磨后的晶片厚度。

7.如权利要求5所述的层间介电质化学机械研磨的时间反馈控制系统，其特征在于，该反馈时间修正装置包括：

第一修正装置，在反馈时间没有超出规范限制时，使用该组晶片的所有反馈时间的平均值进行替换；

第二修正装置，在反馈时间超出规范限制时，使用该组晶片中除了该反馈时间以外的其他反馈时间的平均值进行替换。

8.如权利要求5所述的层间介电质化学机械研磨的时间反馈控制系统，其特征在于，

当一组反馈时间中有一个以上的反馈时间超出规范限制时，所述第一修正装置和第二修正装置计算反馈时间的平均值时排除所有超出规范限制的反馈时间。