[发明专利]内埋电容元件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 200710164048.6 | 申请日： | 2007-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN101141849A | 公开（公告）日： | 2008-03-12 |
| 发明（设计）人： | 王永辉;欧英德;洪志斌 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H05K1/16 | 分类号： | H05K1/16;H01L23/498;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种内埋电容元件结构及其制造方法。该内埋电容元件结构包括：介电层、第一导电层、第二导电层、第一嵌板以及第二嵌板。其中介电层具有一厚度。第一导电层位于介电层的一侧，且具有第一电性。第二导电层位于介电层上相对于第一导电层的另一侧，且具有第二电性。第一嵌板嵌设于介电层之中，与第一导电层电性连结。第二嵌板嵌设于介电层之中，与第二导电层电性连结，且与第一嵌板相距有一段距离。 | ||
| 搜索关键词： | 电容 元件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种内埋电容元件结构，其特征在于包括：一介电层，具有一厚度；一第一导电层，位于该介电层的一侧，其中该第一导电层具有一第一电性；一第二导电层，位于该介电层上相对于该第一导电层的另一侧，其中该第二导电层具有一第二电性；一第一嵌板，嵌设于该介电层之中，与该第一导电层电性连结；以及一第二嵌板，嵌设于该介电层之中，与该第二导电层电性连结，且与该第一嵌板相距有一距离。
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