[发明专利]采用选择再生长的AlGaN/GaN－HEMT的制造方法

摘要

本发明提供一种采用选择再生长的AlGaN/GaN－HEMT的制造方法。在该制造方法中，首先，准备具有叠层构造的半导体主体(110)，该叠层构造是在衬底(100)上层叠缓冲层(102)、在缓冲层上层叠UID－GaN层、在该UID－GaN层上层叠UID－AlGaN层而形成的。然后，在该半导体主体的作为UID－AlGaN层的表面的第1主面(111)上，形成绝缘膜(112)的图案，以形成了图案的绝缘膜(112′)为掩模，不对半导体主体表面进行蚀刻处理，而在绝缘膜的区域以外的半导体主体表面的区域上，直接选择再生长n⁺－GaN层。之后，在进行了选择再生长后的该n⁺－GaN层的区域，划分欧姆电极形成预定区域(117)，并形成欧姆电极(122)。接下来，在绝缘膜的区域内，划分栅电极形成预定区域(123)并形成开口，并且形成栅电极(124)。

主权项

1.一种AlGaN/GaN-HEMT的制造方法，其特征在于，包括以下工序：第1工序，准备具有叠层构造的半导体主体，该叠层构造是在衬底上层叠缓冲层、在该缓冲层上层叠UID-GaN层、在该UID-GaN层上层叠UID-AlGaN层而形成的；第2工序，在上述半导体主体的作为UID-AlGaN层的表面的第1主面上，形成绝缘膜的图案；第3工序，将上述绝缘膜用作掩模，不对上述半导体主体表面进行蚀刻处理，而在上述绝缘膜的区域以外的上述半导体主体表面的区域上，直接选择再生长n+-GaN层；第4工序，在进行选择再生长而形成的上述n+-GaN层的区域，设定欧姆电极形成预定区域，并在该欧姆电极形成预定区域上形成欧姆电极；以及第5工序，在上述绝缘膜的区域内，使栅电极形成预定区域形成开口，并在从该开口露出的该栅电极形成预定区域上形成栅电极。