[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710161306.5 | 申请日： | 2007-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN101246900A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 青野真司;高桥英树;友松佳史;守谷纯一 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。载流子存储层(3)位于自N衬底(1)的表面预定深度的区域中，基区(2)位于浅于该预定深度的区域中，和发射区(4)位于N衬底的表面中。载流子存储层(3)通过注入磷以在预定深度处具有最大杂质浓度来形成，基区(2)通过注入硼以在浅于该预定深度的位置处具有最大杂质浓度来形成，和发射区(4)通过注入砷以在N衬底的表面处具有最大杂质浓度来形成。形成开口(1a)以延伸通过发射区(4)、基区(2)和载流子存储层(3)。在开口(1a)的内壁上，形成栅电极(8)且其间具有栅极绝缘膜(7)。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：第一导电类型的半导体衬底，其具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；第一导电类型的第一杂质区，其由第一导电类型的第一杂质形成，在自所述半导体衬底的所述第一主表面的第一深度处具有最大杂质浓度，所述第一杂质区形成于与所述第一深度相对应的区域中并与所述第一主表面隔开；第二导电类型的第二杂质区，其由第二导电类型的第二杂质形成，在自所述半导体衬底的所述第一主表面浅于所述第一深度的第二深度处具有最大杂质浓度，所述第二杂质区由与所述第二深度相对应的区域形成，以到达所述第一杂质区；第一导电类型的第三杂质区，其由第一导电类型的第三杂质形成，在所述半导体衬底的所述第一主表面处具有最大杂质浓度，所述第三杂质区自所述第一主表面形成至预定深度并与所述第一杂质区隔开且所述第二杂质区位于其间；开口，其通过所述第三杂质区、所述第二杂质区和所述第一杂质区延伸以到达所述半导体衬底的所述第一导电类型的区域；绝缘膜，其形成于所述开口的侧壁上以覆盖在所述侧壁上暴露出的所述第三杂质区、所述第二杂质区和所述第一杂质区；电极部分，其形成于所述开口中以覆盖所述绝缘膜；和第二导电类型的区域，其形成于所述半导体衬底的所述第二主表面处。
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