[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型的半导体衬底，其具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；

第一导电类型的第一杂质区，其由第一导电类型的第一杂质形成，在自所述半导体衬底的所述第一主表面的第一深度处具有最大杂质浓度，所述第一杂质区形成于与所述第一深度相对应的区域中并与所述第一主表面隔开；

第二导电类型的第二杂质区，其由第二导电类型的第二杂质形成，在自所述半导体衬底的所述第一主表面浅于所述第一深度的第二深度处具有最大杂质浓度，所述第二杂质区由与所述第二深度相对应的区域形成，以到达所述第一杂质区；

第一导电类型的第三杂质区，其由第一导电类型的第三杂质形成，在所述半导体衬底的所述第一主表面处具有最大杂质浓度，所述第三杂质区自所述第一主表面形成至预定深度并与所述第一杂质区隔开且所述第二杂质区位于其间；

开口，其通过所述第三杂质区、所述第二杂质区和所述第一杂质区延伸以到达所述半导体衬底的所述第一导电类型的区域；

绝缘膜，其形成于所述开口的侧壁上以覆盖在所述侧壁上暴露出的所述第三杂质区、所述第二杂质区和所述第一杂质区；

电极部分，其形成于所述开口中以覆盖所述绝缘膜；和

第二导电类型的区域，其形成于所述半导体衬底的所述第二主表面处。

2.如权利要求1的半导体器件，其中

所述第一杂质、所述第二杂质和所述第三杂质的组合杂质浓度轮廓具有第一相对最大值、第二相对最大值和第三相对最大值，其分别对应于所述第一杂质、所述第二杂质和所述第三杂质的相应杂质浓度，

所述第一相对最大值在深度方向上位于从所述第一杂质的最大杂质浓度至最大杂质浓度的十分之一的范围内，以及

所述第二相对最大值在深度方向上位于从所述第二杂质的最大杂质浓度至最大杂质浓度的十分之一的范围内。

3.如权利要求1的半导体器件，其中

第二导电类型的所述区域是第二导电类型衬底，以及

所述半导体器件还包括在所述第二导电类型衬底和第一导电类型的所述半导体衬底之间的第一导电类型的层。

4.如权利要求1的半导体器件，其中

形成第二导电类型的所述区域以从所述半导体衬底的所述第二主表面延伸到预定深度，和

所述半导体器件还包括，在第二导电类型的所述区域和所述半导体衬底的第一导电类型的所述区域之间的另一个第一导电类型区域。

5.如权利要求1的半导体器件，其中

第二导电类型的所述区域形成于所述半导体衬底的所述第二主表面的预定区域中，以从所述第二主表面延伸到预定深度，和

所述半导体器件还包括第一导电类型的区域，其形成于所述半导体衬底的所述第二主表面上，以从所述第二主表面延伸到所述预定深度，并与第二导电类型的所述区域相邻。

6.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：

制备第一导电类型的半导体衬底，其具有彼此相对的第一主表面和第二主表面；

从所述第一主表面注入第一导电类型的第一杂质的第一注入步骤，以在自所述半导体衬底的所述第一主表面的第一深度处具有最大杂质浓度；

从所述第一主表面注入第二导电类型的第二杂质的第二注入步骤，以在自所述第一主表面浅于所述第一深度的第二深度处具有最大杂质浓度；

从所述第一主表面注入第一导电类型的第三杂质的第三注入步骤，以在所述第一主表面处具有最大杂质浓度；

通过所述第一杂质的热扩散在与所述第一深度对应的区域中形成第一导电类型的第一杂质区；

通过所述第二杂质的热扩散形成从与所述第二深度对应的区域延伸以到达所述第一杂质区的第二导电类型的第二杂质区；

通过所述第三杂质的热扩散形成第一导电类型的第三杂质区，其从所述第一主表面延伸到预定深度并与所述第一杂质区隔开且其间具有第二杂质区；

形成开口，其延伸通过所述第三杂质区、所述第二杂质区和所述第一杂质区以到达所述半导体衬底的第一导电类型的衬底区；

在所述开口中形成绝缘膜，以覆盖分别在所述第三杂质区、所述第二杂质区和所述第一杂质区的所述开口的内壁上暴露出的相应表面；

通过用导电层填充所述开口以覆盖所述绝缘膜来形成电极部分；和

在所述半导体衬底的所述第二主表面处形成第二导电类型的区域。