[发明专利]一种硫化镉纳米棒阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200710156010.4 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101172643A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈红征;陈飞;施敏敏;吴刚;汪茫 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;C01B17/20;B82B3/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硫化镉纳米棒阵列的制备方法，包括以下步骤：(a)将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，烘干；(b)将氯化镉、升华硫在90～120℃下溶于二甲基亚砜中，再加入水并搅拌制得透明溶液；(c)在三电极体系下，将基片置入步骤(b)制得的溶液中，使硫化镉晶种沉积在基片上；(d)将含镉前驱体、含硫前驱体溶于水中制得溶液；(f)将沉积了硫化镉晶种的基片置入步骤(d)制得的溶液中并加热，反应完全后，用水冲洗基片。本发明的方法工艺简单，适于直接制备电子器件，容易被推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 纳米 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硫化镉纳米棒阵列的制备方法，包括以下步骤：a.将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，烘干；b.将氯化镉、升华硫在90～110℃下溶于二甲基亚砜中，再加入水并搅拌制得透明溶液；c.在三电极体系下，将基片置入步骤(b)制得的溶液中，使硫化镉晶种沉积在基片上；d.将含镉前驱体、含硫前驱体溶于水中制得溶液；f.将沉积了硫化镉晶种的基片置入步骤(d)制得的溶液中并加热，反应完全后，用水冲洗基片，制得硫化镉纳米棒阵列。
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