[发明专利]一种硫化镉纳米棒阵列的制备方法无效
| 申请号： | 200710156010.4 | 申请日： | 2007-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN101172643A | 公开（公告）日： | 2008-05-07 |
| 发明（设计）人： | 陈红征;陈飞;施敏敏;吴刚;汪茫 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | C01G11/02 | 分类号： | C01G11/02;C01B17/20;B82B3/00 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硫化 纳米 阵列 制备 方法 | ||
1.一种硫化镉纳米棒阵列的制备方法，包括以下步骤：
a.将透明导电基片洗净去油污，并在丙酮、乙醇和去离子水中分别进行超声处理，烘干；
b.将氯化镉、升华硫在90～110℃下溶于二甲基亚砜中，再加入水并搅拌制得透明溶液；
c.在三电极体系下，将基片置入步骤(b)制得的溶液中，使硫化镉晶种沉积在基片上；
d.将含镉前驱体、含硫前驱体溶于水中制得溶液；
f.将沉积了硫化镉晶种的基片置入步骤(d)制得的溶液中并加热，反应完全后，用水冲洗基片，制得硫化镉纳米棒阵列。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的导电基片为导电玻璃或导电硅片。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(a)超声处理时间为10～15分钟。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(b)中氯化镉、升华硫与二甲基亚砜的质量比为1∶1∶700～1∶2∶1000。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(c)中反应温度为90～120℃，电极通电时间为200s～3600s，电流强度为0.01mA～0.5mA。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(f)的反应温度为90～250℃，反应时间为1～96h。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(f)加热升温速率为1～6℃/min。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的含镉前驱体为硝酸镉、乙酸镉或硫酸镉。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的含硫前驱体为硫脲、硫代乙酰胺、升华硫或硫化钠。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的含镉前驱体与含硫的前驱体的摩尔比为1∶1～1∶10。
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