[发明专利]显示装置及其制造方法无效
| 申请号： | 200710153680.0 | 申请日： | 2007-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN101144948A | 公开（公告）日： | 2008-03-19 |
| 发明（设计）人： | 入住智之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳;刘宗杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种生产率高、显示品质优异的液晶显示装置及其制造方法。本发明的显示装置具备：设置在基板(1)上的信号线(9)；在基板(1)上与信号线(9)分离开设置的导电性膜(12)；设置在信号线(9)和导电性膜(12)上方的基底绝缘膜；设置在基底绝缘膜上方的多晶硅膜(4)；形成在多晶硅膜(4)上方的层间绝缘膜(7)；形成在层间绝缘膜(7)上方的像素电极(11)；在层间绝缘膜(7)的上方与像素电极(11)分离开形成、并将多晶硅膜(4)和信号线(9)相连接的连接图案(15)；在下部形成导电性膜(12)的多晶硅膜(4)的结晶粒径比在下部未形成导电性膜(12)的多晶硅膜(4)的结晶粒径大。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种显示装置，其具备：设置在基板上的信号线；与上述信号线分离开设置于同一层上的导电性膜；设置在上述信号线和上述导电性膜上方的基底绝缘膜；设置在上述基底绝缘膜上方的多晶硅膜；形成在上述多晶硅膜上方的层间绝缘膜；形成在上述层间绝缘膜上方的像素电极；在上述层间绝缘膜上方与上述像素电极分离开形成并将上述多晶硅膜和上述信号线相连接的连接图案；在下部形成上述导电性膜的上述多晶硅膜的结晶粒径比在下部未形成上述导电性膜的多晶硅膜的结晶粒径大。
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