[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 200710152877.2 | 申请日： | 2002-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN101127238A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 三浦誓士;鲇川一重 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11C11/00 | 分类号： | G11C11/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种存储容量大且可高速读取、写入的ROM及存储容量大且数据保持电流少的RAM。本发明的半导体存储装置包括：非易失性存储器，其具有第1读取时间；随机存取存储器，其具有读取时间较所述第1读取时间短100倍以上的第2读取时间；控制电路，其与所述非易失性存储器及所述随机存取存储器连接，用于控制对所述随机存取存储器及所述非易失性存储器的存取；及多个输入输出端子，与所述控制电路连接，其中所述控制电路按照从所述多个输入输出端子输入的信号，控制所述非易失性存储器和所述随机存取存储器之间的数据传送。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种存储模块，其特征在于，包括：非易失性存储器；随机存取存储器；用于控制所述非易失性存储器和所述随机存取存储器的控制电路；被写入指令码的指令寄存器；多个外部指令信号端子；多个外部地址信号端子；以及多个外部数据端子；当在所述指令寄存器中写入载入命令码时，所述控制电路从所述非易失性存储器读出数据，并将所述读出的数据传送到所述随机存取存储器；当向所述多个外部指令信号端子输入写入指令，并向所述多个外部地址信号端子输入用于访问所述随机存取存储器的地址时，通过所述多个外部数据端子向所述随机存取存储器写入已输入的数据；当向所述多个外部指令信号端子输入所述写入指令，并向所述多个外部地址信号端子输入用于访问所述指令寄存器的地址时，通过所述多个外部数据端子向所述指令寄存器写入已输入的所述载入命令码。
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