[发明专利]光掩模的制造方法和相移掩模的制造方法

摘要

本发明提供了一种光掩模的制造方法，包括：在透明掩模衬底上形成将转移到晶片上的掩模图形；转移掩模图形到晶片上从而形成晶片图形；在转移到晶片上的晶片图形中选择需要线宽修改的临界尺寸修改区域；对应于临界尺寸修改区域形成用于选择性地暴露衬底的一部分的抗蚀图形；采用抗蚀图形作为离子注入掩模，通过注入离子到暴露的部分中，改变衬底的暴露部分的光透射率；和选择性地去除抗蚀图形。本发明还提供了一种相移掩模的制造方法。

主权项

1.一种光掩模的制造方法，包括以下步骤：在透明掩模衬底上形成将转移到晶片上的掩模图形；转移该掩模图形到该晶片从而形成晶片图形；在转移到该晶片上的该晶片图形中选择需要线宽修改的临界尺寸修改区域；对应于选出的临界尺寸修改区域形成用于选择性地暴露该掩模衬底的一部分的抗蚀图形；采用该抗蚀图形作为离子注入掩模，通过注入离子到该掩模衬底的暴露的部分中，改变该暴露的部分的光透射率；和选择性地去除该抗蚀图形。