[发明专利]快闪存储器

摘要

本发明公开了一种快闪存储器，其特征在于存储器单元串的二侧的选择栅极晶体管分别具有凹入式栅极沟道和水平式栅极沟道两种不同的结构。由于采用凹入式栅极沟道的设计，使连结选择栅极晶体管的栅极导线的线距缩小，因此使元件集成度提升，同时提高浅沟槽隔离工艺的宽裕度。此外，在存储器单元串的一侧，构成至少一选择栅极沟道为开启状态的耗尽元件。

主权项

1. 一种快闪存储器，包含:基底；包含多个储存晶体管的存储器单元串，设于该基底上，其中该等储存晶体管分别具有第一栅极长度；包含第二栅极长度的第一选择栅极晶体管，串接于该存储器单元串；以及包含第三栅极长度的第二选择栅极晶体管，串接于该第一选择栅极晶体管，其中该第一选择栅极晶体管及该第二选择栅极晶体管之一包含有凹入式栅极沟道。