[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710147180.6 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101136335A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 高光永 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/735 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 夏凯;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种半导体器件及其制造方法。所述方法包括在第一导电类型的半导体基板中形成第二导电类型的集电极区域；在集电极区域中形成第一导电类型的基极区域；在基极区域中形成第二导电类型的发射极区域；域在发射极区域中形成发射极；和在集电极区域中形成集电极；以及通过将第一导电类型的高浓度杂质离子注入半导体基板中而在半导体基板中形成基极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括：通过将第二导电类型的杂质离子注入到半导体基板中，而在第一导电类型的半导体基板中形成第二导电类型的集电极区域；通过将第一导电类型的杂质离子注入到集电极区域，而在集电极区域中形成第一导电类型的基极区域；通过将第二导电类型的杂质离子注入到基极区域中，而在基极区域中形成第二导电类型的发射极区域；通过将第二导电类型的高浓度杂质离子注入到发射极区域中，而在发射极区域中形成发射极；通过将第二导电类型的高浓度杂质离子注入到集电极区域中，而在集电极区域中形成集电极；以及通过将第一导电类型的高浓度杂质离子注入到半导体基板中，而在半导体基板中形成基极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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