[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710147180.6 | 申请日： | 2007-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN101136335A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 高光永 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/735 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 夏凯;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括：
通过将第二导电类型的杂质离子注入到半导体基板中，而在第一导电类型的半导体基板中形成第二导电类型的集电极区域；
通过将第一导电类型的杂质离子注入到集电极区域，而在集电极区域中形成第一导电类型的基极区域；
通过将第二导电类型的杂质离子注入到基极区域中，而在基极区域中形成第二导电类型的发射极区域；
通过将第二导电类型的高浓度杂质离子注入到发射极区域中，而在发射极区域中形成发射极；
通过将第二导电类型的高浓度杂质离子注入到集电极区域中，而在集电极区域中形成集电极；以及
通过将第一导电类型的高浓度杂质离子注入到半导体基板中，而在半导体基板中形成基极。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，该形成第二导电类型的发射极区域和形成第一导电类型的基极区域的步骤包括进行快速热处理。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，该快速热处理在大约900-1100℃ 的温度下持续进行大约30-60秒。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，该第二导电类型的发射极区域和第一导电类型的基极区域是自对准的。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，该第一导电类型的杂质离子包括硼(B)。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，该第二导电类型的杂质离子包括磷(P)或砷(As)。
7.一种半导体器件，包括：
第一导电类型的半导体基板；
在半导体基板中形成的第二导电类型的集电极区域；
在集电极区域和半导体基板中形成的第一导电类型的基极区域；
在基极区域中形成的第二导电类型的发射极区域；
在集电极区域中形成的第二导电类型的集电极；以及
在发射极区域中形成的第二导电类型的发射极。
8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，该发射极区域和集电极区域沿水平方向形成，以及形成包含发射极区域并在集电极区域内的基极区域。
9.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，该第一导电类型的杂质离子包括硼(B)。
10.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，该第二导电类型的杂质离子包括磷(P)或砷(As)。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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