[发明专利]带差参考电路无效

专利信息
申请号: 200710147158.1 申请日: 2007-08-30
公开(公告)号: CN101105698A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 彭彦华;王为善;张家玮 申请(专利权)人: 智原科技股份有限公司
主分类号: G05F3/16 分类号: G05F3/16
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开一种带差参考电路,包括:输入电路,具有两个端点,其中第一端点连接至第一场效应晶体管且该第一场效应晶体管具有第一临界电压,第二端点与第二场效应晶体管之间连接第一电阻且该第二场效应晶体管具有第二临界电压;镜像电路,其可控制该两个端点上的两个输出电流,使该两个输出电流间维持固定的电流比例;以及运算放大器,连接至该两个端点以及该镜像电路用以控制该镜像电路使得该两端点上的电压具有电压关系;其中,该第一场效应晶体管与该第二场效应晶体管都在次临界区操作,且该第一临界电压大于该第二临界电压,且该两个输出电流不会随着温度变化而改变。
搜索关键词: 参考 电路
【主权项】:
1.一种带差参考电路,包括:输入电路,具有两个端点,其中第一端点连接至第一场效应晶体管且该第一场效应晶体管具有第一临界电压,第二端点与第二场效应晶体管之间连接第一电阻且该第二场效应晶体管具有第二临界电压;镜像电路,其可控制该两个端点上的两个输出电流,使该两个输出电流间维持固定的电流比例;以及运算放大器,连接至该两个端点以及该镜像电路用以控制该镜像电路使得该两端点上的电压具有电压关系;其中,该第一场效应晶体管与该第二场效应晶体管都在次临界区操作,且该第一临界电压大于该第二临界电压,且该两个输出电流不会随着温度变化而改变。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于智原科技股份有限公司,未经智原科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710147158.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top