[发明专利]带差参考电路无效

专利信息
申请号: 200710147158.1 申请日: 2007-08-30
公开(公告)号: CN101105698A 公开(公告)日: 2008-01-16
发明(设计)人: 彭彦华;王为善;张家玮 申请(专利权)人: 智原科技股份有限公司
主分类号: G05F3/16 分类号: G05F3/16
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 陈晨
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 参考 电路
【权利要求书】:

1.一种带差参考电路,包括:

输入电路,具有两个端点,其中第一端点连接至第一场效应晶体管且该第一场效应晶体管具有第一临界电压,第二端点与第二场效应晶体管之间连接第一电阻且该第二场效应晶体管具有第二临界电压;

镜像电路,其可控制该两个端点上的两个输出电流,使该两个输出电流间维持固定的电流比例;以及

运算放大器,连接至该两个端点以及该镜像电路用以控制该镜像电路使得该两端点上的电压具有电压关系;

其中,该第一场效应晶体管与该第二场效应晶体管都在次临界区操作,且该第一临界电压大于该第二临界电压,且该两个输出电流不会随着温度变化而改变。

2.如权利要求1所述的带差参考电路,其中该第一场效应晶体管与该第二场效应晶体管皆为N型场效应晶体管,且该第一场效应晶体管的栅极与漏极连接至该第一端点,该第一场效应晶体管的源极连接至接地端,该第二场效应晶体管的栅极与漏极连接至该第一电阻,该第二场效应晶体管的源极连接至该接地端。

3.如权利要求1所述的带差参考电路,其中该镜像电路还用于产生第三输出电流其比例于该两个输出电流。

4.如权利要求3所述的带差参考电路,其中该第三输出电流流经第二电阻用以产生参考电压。

5.如权利要求1所述的带差参考电路,其中该第一场效应晶体管与该第二场效应晶体管的氧化层厚度不同。

6.如权利要求1所述的带差参考电路,其中该镜像电路包括两个P型场效应晶体管,该两个P型场效应晶体管的栅极相互连接,该两个P型场效应晶体管的源极连接至电压源,该两个P型场效应晶体管的漏极则为该两个端点。

7.如权利要求6所述的带差参考电路,其中该运算放大器的输出端连接至该两个P型场效应晶体管的栅极,该运算放大器的两个输入端连接至该两个端点。

8.如权利要求6所述的带差参考电路,其中该两个P型场效应晶体管的两个长宽比的差异用于决定该固定的电流比例。

9.一种带差参考电路,包括:

输入电路,具有两个端点,其中第一端点连接至第一场效应晶体管且该第一场效应晶体管具有第一临界电压,第二端点与第二场效应晶体管之间连接负载组件且该第二场效应晶体管具有第二临界电压;

运算放大器,其用于根据该两个端点间电压差控制该镜像电路;以及

镜像电路,其用于根据该运算放大器的控制而调整该两个端点上的两个输出电流大小,并使该两个输出电流间维持固定的电流比例;

其中,该第一场效应晶体管与该第二场效应晶体管都在次临界区操作,且该第一临界电压大于该第二临界电压,且该二输出电流不会随着温度变化而改变。

10.如权利要求9所述的带差参考电路,其中该负载组件是电阻。

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