[发明专利]Cr5+∶RVO4晶体、制备方法和激光被动调Q器件

摘要

本发明涉及Cr⁵⁺∶RVO₄晶体、制备方法和该类晶体对一种端面或侧面泵浦激光晶体产生的激光进行被动调Q，属于晶体和器件领域。Cr⁵⁺∶RVO₄(R＝Gd，Lu，Y)晶体具有锆英石结构，通式为RV_1－xCr_xO₄，其中，R＝Gd，Lu或Y，x＝0.0001～0.1。该晶体用提拉法制备。Cr⁵⁺∶RVO₄晶体作为被动调Q材料，与端面或侧面泵浦的1.01－1.08μm激光相结合，可以产生1.01－1.08μm脉冲激光。用该晶体制作的激光被动调Q器件具有简单、紧凑、稳定性好、转换效率高、光束质量好、操作简单、成本低，便于工业化的大批量制造等优点。

主权项

1.Cr⁵⁺:RVO₄晶体，具有以下通式： RV_1-xCr_xO₄，其中，R＝Gd，Lu或Y，x＝0.0001～0.1，具有锆英石结构，空间群为I4₁/amd， 当R＝Gd时，晶胞参数：a＝b＝7.212，c＝6.346；当R＝Lu时，晶胞参数：a＝b＝7.025，c＝6.234 ；当R＝Y时，晶胞参数：a＝b＝7.118，c＝6.289，在0.9～1.3μm的范围内有吸收峰，在该 波段范围可以实现被动调Q激光输出。