[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710146866.3 | 申请日： | 2007-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN101136421A | 公开（公告）日： | 2008-03-05 |
| 发明（设计）人： | 吕寅根 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L29/808;H01L29/43;H01L21/822;H01L21/337;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 夏凯;钟强 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种CMOS图像传感器及其制造方法，其通过驱动晶体管的栅极中的PN结形成耗尽层，以提高对蓝光的灵敏度。形成在栅极的上部的耗尽层提高了CMOS图像传感器对蓝光的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：具有有源区域的导电半导体衬底；形成在所述有源区域上的光电二极管；以及形成在所述有源区域上并与所述光电二极管电连接的耗尽层，所述耗尽层包括：第一导电杂质掺杂层，第二导电杂质掺杂层；以及在第一导电杂质掺杂层和第二导电杂质掺杂层之间的结部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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