[发明专利]溅射沉积装置和方法无效
申请号: | 200710146401.8 | 申请日: | 2007-06-22 |
公开(公告)号: | CN101158027A | 公开(公告)日: | 2008-04-09 |
发明(设计)人: | K·-D·尤弗特 | 申请(专利权)人: | 奇梦达股份公司 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/54;H01L21/203;H01L21/363 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 余刚;李丙林 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种溅射沉积装置和方法,及用于溅射沉积装置的衬底支持物。根据本发明的一方面,提供一种溅射沉积装置,包括:至少一个溅射靶,第一等离子体,衬底支持物,和另一等离子体。优选,此另一等离子体为ECWR等离子体。根据另一方面,在另一等离子体和此衬底支持物之间提供阳极。根据又另一方面,衬底支持物包括具有变化厚度的介电层。 | ||
搜索关键词: | 溅射 沉积 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种溅射沉积装置,包括:至少一个溅射靶;第一等离子体;衬底支持物;和另一等离子体。
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