[发明专利]使用等离子体处理基材的设备和方法有效
| 申请号： | 200710143412.0 | 申请日： | 2007-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101316473A | 公开（公告）日： | 2008-12-03 |
| 发明（设计）人： | 申泰浩 | 申请（专利权）人： | 细美事有限公司 |
| 主分类号： | H05H1/00 | 分类号： | H05H1/00;H01L21/00;H01L21/3065;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 梁兴龙;武玉琴 |
| 地址： | 韩国忠*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供使用等离子体处理基材的方法。在等离子体处理过程中，以脉冲形式供应用于产生等离子体的电力，以防止晶片表面的电荷密度随电子能量的增大而增大。在产生等离子体的区域提供磁场，以防止当以脉冲形式供应电力时等离子体密度下降。形成的磁场指向壳体的内部或外部。此外，以脉冲形式供应的用于产生等离子体的电力可以选择性地提高晶片中心区域或晶片边缘部分的蚀刻速率。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 等离子体 处理 基材 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用等离子体的基材处理方法，包括：在壳体内部提供基材；以及从供应进所述壳体中的气体产生等离子体，以处理所述基材，其中在处理过程中以脉冲形式施加用于产生等离子体的电力，并将磁场提供至在所述壳体内部产生等离子体的区域。
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