[发明专利]显示装置及其制造方法有效
申请号: | 200710141925.8 | 申请日: | 2007-08-03 |
公开(公告)号: | CN101118913A | 公开(公告)日: | 2008-02-06 |
发明(设计)人: | 永田一志;竹口彻 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 曾祥夌;刘宗杰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 以简易的结构提供抑制了以晶体硅层作为沟道活性层的薄膜晶体管的特性偏差的显示装置。本发明一实施例的显示装置设有:形成在绝缘基板(1)上的多晶硅层(2);在绝缘基板(1)上的多晶硅层(2)的源区(2a)及漏区(2c)上形成的包含源线的布线层(3);在多晶硅层(2)及布线层(3)上形成的栅绝缘层(4);包含栅线、对应于多晶硅层(2)的沟道区(2b)形成的栅电极(5)及对应于布线层(3)的一部分形成的电容器电极(6)的在栅绝缘层(4)上形成的栅电极层(11);在栅电极层(11)上形成的层间绝缘层(7);在层间绝缘层(7)上形成的、通过设在栅绝缘层(4)及层间绝缘层(7)的接触孔(9)连接至漏区(2c)的包含像素电极的像素电极层(8)。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种显示装置,包含多根信号线、与所述多根信号线交叉的多根扫描线以及在由所述信号线和所述扫描线包围的区域形成的薄膜晶体管,设有:在基板上形成的晶体硅层,包含源区、漏区及沟道区;包含所述信号线的布线层,覆盖所述源区及所述漏区上的至少一部分而形成;在所述晶体硅层及布线层上形成的栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成的栅电极层,包含所述扫描线、对应于所述沟道区而形成的栅电极以及对应于所述布线层的一部分而形成的电容器电极;在所述栅电极层上形成的层间绝缘层;在所述层间绝缘层上形成的像素电极层,包含通过设在所述栅绝缘层及所述层间绝缘层的接触孔而连接到所述漏区或所述源区的像素电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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