[发明专利]显示装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200710141925.8 申请日: 2007-08-03
公开(公告)号: CN101118913A 公开(公告)日: 2008-02-06
发明(设计)人: 永田一志;竹口彻 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L23/522;H01L21/84;H01L21/768;G02F1/1362
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 曾祥夌;刘宗杰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 以简易的结构提供抑制了以晶体硅层作为沟道活性层的薄膜晶体管的特性偏差的显示装置。本发明一实施例的显示装置设有:形成在绝缘基板(1)上的多晶硅层(2);在绝缘基板(1)上的多晶硅层(2)的源区(2a)及漏区(2c)上形成的包含源线的布线层(3);在多晶硅层(2)及布线层(3)上形成的栅绝缘层(4);包含栅线、对应于多晶硅层(2)的沟道区(2b)形成的栅电极(5)及对应于布线层(3)的一部分形成的电容器电极(6)的在栅绝缘层(4)上形成的栅电极层(11);在栅电极层(11)上形成的层间绝缘层(7);在层间绝缘层(7)上形成的、通过设在栅绝缘层(4)及层间绝缘层(7)的接触孔(9)连接至漏区(2c)的包含像素电极的像素电极层(8)。
搜索关键词: 显示装置 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种显示装置,包含多根信号线、与所述多根信号线交叉的多根扫描线以及在由所述信号线和所述扫描线包围的区域形成的薄膜晶体管,设有:在基板上形成的晶体硅层,包含源区、漏区及沟道区;包含所述信号线的布线层,覆盖所述源区及所述漏区上的至少一部分而形成;在所述晶体硅层及布线层上形成的栅绝缘层;在所述栅绝缘层上形成的栅电极层,包含所述扫描线、对应于所述沟道区而形成的栅电极以及对应于所述布线层的一部分而形成的电容器电极;在所述栅电极层上形成的层间绝缘层;在所述层间绝缘层上形成的像素电极层,包含通过设在所述栅绝缘层及所述层间绝缘层的接触孔而连接到所述漏区或所述源区的像素电极。
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