[发明专利]减少气相成核缺陷的高密度等离子体沟填方法有效
| 申请号： | 200710141626.4 | 申请日： | 2007-08-17 |
| 公开（公告）号： | CN101369553A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 苏世芳 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/31;H01L21/316 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 彭久云;陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种减少气相成核缺陷的高密度等离子体沟填方法，包括下列步骤。首先，提供基底于反应室中，且此基底中具有沟槽。然后，进行第一沉积步骤，在沟槽中部分地填入介电材料。接着，进行蚀刻步骤，部分地移除沟槽中的介电材料。之后，进行第二沉积步骤，在沟槽中部分地填入介电材料，其中在第二沉积步骤中所使用的反应气体包括载气、含氧气体、含硅气体与含氢气体，且在载入载气与含氧气体至反应室中并开启射频电源一段时间后，再载入含硅气体与含氢气体至反应室中。 | ||
| 搜索关键词： | 减少 相成 缺陷 高密度 等离子体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种减少气相成核缺陷的高密度等离子体沟填方法，包括：(a)提供基底于反应室中，该基底中具有沟槽；(b)进行第一沉积步骤，在该沟槽中部分地填入介电材料；(c)进行蚀刻步骤，部分地移除该沟槽中的该介电材料；以及(d)进行第二沉积步骤，在该沟槽中部分地填入该介电材料，其中在该第二沉积步骤中所使用的反应气体包括载气、含氧气体、含硅气体与含氢气体，且在载入该载气与该含氧气体至该反应室中并开启射频电源一段时间后，再载入该含硅气体与该含氢气体至该反应室中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200710141626.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
