[发明专利]发光二极管组件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710140456.8 | 申请日： | 2007-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN101369616A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 林宏诚;李家铭;綦振瀛 | 申请（专利权）人： | 泰谷光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 章社杲;吴贵明 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可以提高发光二极管光提取效率的发光二极管组件及其制造方法，本发明利用蚀刻基板形成具有自然晶格斜面的凹槽，再使发光二极管磊晶层结构选择性地生长在该凹槽内，形成一种具有多边斜面的发光二极管组件，使发光二极管组件通过多边斜面减少内部全反射的机率，提高发光二极管的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管制造方法，其特征在于，其步骤包括有：(a)提供一基板(100)，在所述基板(100)表面形成一钝化层(110)，并定义出多个多边形的蚀刻区域(111)；(b)对所述基板(100)进行蚀刻，在所述蚀刻区域(111)蚀刻出多个具有自然晶格斜面与底面(121)的凹槽(120)；(c)在前述凹槽(120)的底面(121)形成一发光二极管结构(130)，所述发光二极管结构(130)是依序磊晶结合一n型III-V族化合物层(131)、一活性层(132)与一p型III-V族化合物层(133)，其中所述活性层(132)作为发光区形成在所述n型III-V族化合物层(131)与所述p型III-V族化合物层(133)之间，且所述p型III-V族化合物层(133)与一p型欧姆接触电极(134)电性连接，所述n型III-V族化合物层(131)与一n型欧姆接触电极(135)电性连接，用以提供一顺向偏压；及(d)将所述基板(100)研磨，并切割崩裂形成发光二极管晶粒。
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