[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200710136893.2 | 申请日： | 2007-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN101127326A | 公开（公告）日： | 2008-02-20 |
| 发明（设计）人： | 张贞烈 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/336;H01L27/04;H01L29/78 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，其中半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成器件隔离层；在该半导体衬底上形成栅极绝缘层和栅极；在由上述两个步骤形成的结构上沉积一种三层结构，该三层结构包括下氧化层、氮化层和上氧化层；和蚀刻所述三层结构，以形成多个间隔件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在半导体衬底上形成器件隔离层；在该半导体衬底上形成栅极绝缘层和栅极；在由上述两个步骤形成的结构上沉积一种三层结构，该三层结构包括下氧化层、氮化层和上氧化层；和蚀刻所述三层结构，以形成多个间隔件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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