[发明专利]静电吸附电极的修补方法有效
申请号: | 200710136193.3 | 申请日: | 2007-07-20 |
公开(公告)号: | CN101110384A | 公开(公告)日: | 2008-01-23 |
发明(设计)人: | 佐佐木芳彦;里吉务 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种修补方法,能够简易并且适当地对静电吸附电极的破损部位进行修补。其对裂纹(100)的周围进行切削,形成锥状的凹部(51)。然后使用喷镀装置(202)喷镀绝缘物(60),从而埋住凹部(51)。接着对埋入凹部(51)中的绝缘物(60)突出的部分进行切削,使表面平坦化,从而形成修补覆膜(61)。 | ||
搜索关键词: | 静电 吸附 电极 修补 方法 | ||
【主权项】:
1.一种静电吸附电极的修补方法,该静电吸附电极形成有覆盖基材表面的覆膜,该覆膜包括:电极层、在该电极层下层的第一绝缘层、和在所述电极层上层的第二绝缘层,通过向所述电极层施加电压,吸附保持基板,该修补方法包括:切削并除去不良部位和其周围的覆膜的切削工序;和在通过所述切削被除去的部分上形成新的修补覆膜的覆膜再生工序。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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