[发明专利]一种用于大面积薄膜生长的真空等离子体反应器

摘要

本发明公开了一种用于大面积薄膜生长的真空等离子体反应器，包括反应腔体、射频电源，所述反应腔体顶部设有进气孔，底部设有真空抽气口，所述反应腔体内设有与射频电源通过匹配网络连接的电极板、用于承载基片的基片架电极，其特征在于：所述电极板为由方形电极构成的极板阵列；所述进气孔经分进气管道连通至位于各方形电极板中央的气体导流孔；还设有与上电极板和基片架电极板处于同平面且呈同轴排列的接地匀流环，所述接地匀流环上分布有通孔。本发明提高了射频功率的耦合效率，可以在较大面积范围内获得均匀的射频场。

主权项

1.一种用于大面积薄膜生长的真空等离子体反应器，包括反应腔体(1)、射频电源(5)，所述反应腔体顶部设有进气孔，底部设有真空抽气口，所述反应腔体内设有与射频电源通过匹配网络(4)连接的电极板、用于承载基片的基片架电极(2)，其特征在于：所述电极板(8)为由方形电极构成的极板阵列；所述进气孔经分进气管道(6)连通至位于各方形电极板中央的气体导流孔；还设有与上电极板和基片架电极板处于同平面且呈同轴排列的接地匀流环，所述接地匀流环上分布有通孔。