[发明专利]承载晶圆的放电系统、静电吸附器与集成电路的制造方法有效
| 申请号： | 200710130451.7 | 申请日： | 2007-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN101261927A | 公开（公告）日： | 2008-09-10 |
| 发明（设计）人： | 许雁翔;蔡政谚 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/683;H01L21/67;H05F3/00;H02H9/00 |
| 代理公司： | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 寿宁;张华辉 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种承载晶圆的放电系统、静电吸附器与集成电路的制造方法，其中对配置在静电吸附器上的晶圆或基材进行放电的系统，包含有：电容检测器和放电电压计算器。电容检测器是用来量测静电吸附器与晶圆或基材间的电容值。放电电压计算器是至少部分地基于前述的电容检测器所量测的电容值，以计算放电电压。在吸附器释放(Dechuck)后，施加由系统的放电电压计算器所计算的放电电压至静电吸附器，以实质地中和晶圆或基材上的静电荷。本发明可在制程完成后，实质地中和残存在晶圆或基材上的静电荷，因而减少被吸引至晶圆或基材上的粒子。 | ||
| 搜索关键词： | 承载 放电 系统 静电 吸附 集成电路 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种放电系统，用以对配置在一静电吸附器上的一晶圆或一基材进行放电，其特征在于其中该放电系统至少包含：一电容检测器，用以量测该静电吸附器与该晶圆或该基材间的一电容值；以及一放电电压计算器，至少部分地依据该电容检测器所量测的该电容值来计算一放电电压；其中该放电电压是被施加在该静电吸附器上，以实质地中和该晶圆或该基材上的静电荷。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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