[发明专利]薄膜晶体管阵列面板及其制造方法无效
申请号: | 200710129206.4 | 申请日: | 2007-06-01 |
公开(公告)号: | CN101097936A | 公开(公告)日: | 2008-01-02 |
发明(设计)人: | 宋根圭;金保成;赵承奂 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/28 | 分类号: | H01L27/28;H01L51/05;H01L21/84;H01L51/40 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种薄膜晶体管阵列面板,包括:基板;配置在所述基板上的多条数据线;层间绝缘层,配置在所述数据线上并且包括使所述数据线露出的接触孔;多个源电极,所述源电极中的每一个都配置在所述层间绝缘层上并且通过接触孔连接到数据线;多个像素电极,所述像素电极中的每一个都配置在所述层间绝缘层上并且包括面向所述源电极的漏电极;有机半导体,配置在所述源电极和所述漏电极上并且部分重叠所述源电极和所述漏电极;栅绝缘层,配置在所述有机半导体上;和栅线,配置在栅绝缘层上并且包括重叠所述有机半导体的栅电极。本发明还涉及薄膜晶体管阵列面板的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 薄膜晶体管 阵列 面板 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1、一种薄膜晶体管阵列面板,包括:基板;多个数据线,配置在所述基板上;层间绝缘层,配置在所述数据线上并且包括使所述数据线露出的接触孔;多个源电极,每个源电极配置在所述层间绝缘层上并且通过所述接触孔中的一个连接到所述数据线中的一个;多个像素电极,每个像素电极配置在所述层间绝缘层上并且包括面对源电极的漏电极;有机半导体,配置在所述源电极和所述漏电极上并且与所述源电极和漏电极部分交叠;栅绝缘层,配置在所述有机半导体上;以及栅线,配置在所述栅绝缘层上并且包括与所述有机半导体交叠的栅电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的